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Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures

M.B. Panish, H. Temkin ; :us, :gw. -- Springer, 1993. -- (Springer series in materials science ; v. 26). <TY00014944>
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Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures

M.B. Panish, H. Temkin ; :us, :gw. -- Springer, 1993. -- (Springer series in materials science ; v. 26). <TY00014944>
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No. 巻号 所蔵館 配置場所 請求記号 資料ID 禁帯出区分 状態 返却予定日 予約
0001 :gw 広国一 広1図書 549.8||P 39812864 帯出可 0件
No. 0001
巻号 :gw
所蔵館 広国一
配置場所 広1図書
請求記号 549.8||P
資料ID 39812864
禁帯出区分 帯出可
状態
返却予定日
予約 0件
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書誌詳細

タイトル／著者 Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures / M.B. Panish, H. Temkin
出版・頒布事項 Berlin ; New York : Springer , c1993
形態事項 xiv, 428 p. : ill. ; 25 cm
巻号情報
巻次等 :us
ISBN 038756540X
巻号情報
巻次等 :gw
ISBN 354056540X
シリーズ名 Springer series in materials science <BB99645150> v. 26//a
注記 Includes bibliographical references and index
学情ID BA21664090
本文言語コード 英語
著者標目リンク *Panish, M. B. <AU10036745>
著者標目リンク Temkin, H. <AU10036746>
件名標目等 Molecular beam epitaxy
件名標目等 Gallium arsenide semiconductors
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